多维科技所从事的第四代磁性传感器技术--隧道磁电阻传感器,处于整个产业链的上游,技术难度大,是世界各国和地区热销品,我司生产的3种磁传感器:线性传感器、开关传感器和角度传感器,型号有MMLP57H、MMLP57F、MMLH45F、MMS101H、MMS201H、MMA253F。
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★我司新型磁传感器热销中,以下是我司生产的优质传感器:
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名称 |
简介 |
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MMLP57H隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术;高灵敏度:3 mV/V/Oe;低功耗 |
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MMLP57F隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术;高灵敏度:6 mV/V/Oe;低功耗 |
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MMLH45F隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术;高灵敏度:12 mV/V/Oe;低功耗 |
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MMLD47F隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术;超宽动态范围;高灵敏度:6 mV/V/Oe |
图片 |
名称 |
简介 |
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MMS105H低功耗双极锁存型磁开关 |
隧道磁电阻 (TMR) 技术;双极锁存型开关;高灵敏度,低开关点;超低功耗 |
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MMS103H低功耗双极锁存型磁开关 |
隧道磁电阻 (TMR) 技术;双极锁存型开关;高灵敏度,低开关点;超低功耗 |
图片 |
名称 |
简介 |
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MMA153F单轴角度传感器 |
隧道磁电阻(TMR)技术;超大输出信号,无需信号放大;超低功耗;单轴 |
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MMA253F双轴角度传感器 |
隧道磁电阻 ( TMR) 技术;超大输出信号,无需信号放大;超低功耗;双轴 |
★的磁传感器生产设备:超高磁场真空回火炉、磁性隧道结纳米真空镀膜机
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多维科技在未来的发展道路上将致力于为行业提供人才和技术资源,搭建平台以打造开放的半导体研发与生产基地,整合资源以努力完善国内磁传感产业链,提升我国传感技术的研发、生产与应用水平。以薛松生博士为核心的多维科技团队将以前瞻性的目光和胸襟面对新时代传感产业浪潮,愿携手全球产业界人士,开创感知未来的新天地。
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图1 多维科技芯片工厂内的高端设备
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图2 多维科技研发生产的晶圆芯片
多维科技拥有自主知识产权、团队和核心技术,拥有一整套国际的磁性多层膜镀膜设备,完全有能力帮助客户设计、制造6″/8″晶圆芯片并完成晶圆级测试。该芯片研发与生产平台面向全球客户,为全球客户提供高品质服务。
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图3 多维科技研发生产的TMR磁传感器芯片
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图4 磁传感产业基地内的公共平台
研发公共平台将面向全球客户,能满足客户的一站式需求,提供的服务包括封装、测试和快速打样,为客户整合资源,降低成本,提高效率。
多维科技成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。 MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点: ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·双极锁存型开关 ·高灵敏度,低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 7 V 反向供电电压 VRCC 0.3 V 输出电流 IOUTSINK 9 ...
多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备,拥有多项自主知识产权和核心技术,并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。 MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点: ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·双极锁存型开关 ·高灵敏度,低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 性能参数(VCC= 3.0V, TA=25°C) 参数 符号 条件 最小值 典型值 值 单位 工作电压 VCC 正常工作 1.8 3.0 5.5 V 输出高电压 VOH ...