传感器，MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS1X1H | |
| 品牌/商标： | MDT |
多维科技成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点：
·隧道磁电阻（TMR）技术
·1.5微安超低功耗
·高频率响应可达1kHz
·双极锁存型开关
·高灵敏度，低开关点
·宽工作电压范围
·卓越的温度稳定性
·优越的抗外磁场性能
极限参数
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参数 |
符号 |
额定值 |
单位 |
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工作电压 |
VCC |
7 |
V |
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反向供电电压 |
VRCC |
0.3 |
V |
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输出电流 |
IOUTSINK |
9 |
mA |
|
外加磁场 |
B |
2800 |
G |
|
ESD性能(HBM) |
VESD |
2 |
kV |
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使用温度 |
TA |
-40~ 125 |
°C |
|
储存温度 |
Tstg |
-50~ 150 |
°C |
- 所属城市：江苏 苏州
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- 联系人： 张先生
- 电话：0512-56319303
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传感器，超低功耗双极锁存型MMS1X1H磁开关传感器
信息内容：多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。 MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点： ·隧道磁电阻（TMR）技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·双极锁存型开关 ·高灵敏度，低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 性能参数(VCC= 3.0V, TA=25°C) 参数 符号 条件 最小值 典型值 值 单位 工作电压 VCC 正常工作 1.8 3.0 5.5 V 输出高电压 VOH ...
传感器，超低功耗双极锁存型磁开关传感器MMS1X1H
信息内容：多维科技主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验，将矢志不渝地把多维发展成为世界、产品性能、供货质量稳定的磁传感芯片供应商作为企业发展的目标，服务于磁性传感器行业，并计划在企业设立的研发中心，建立传感器产业园，发挥产业集聚效应，为社会创造更大的价值。 MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点： ·隧道磁电阻（TMR）技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·双极锁存型开关 ·高灵敏度，低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 磁特性(VCC= 3.0V, TA= 25°C) 参数 符号 最小值 典型值 值 单位 工作点 BOP 17 G ...
