供应 IR牌子 晶体管IRGP20B60PDPBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 关断速度： | 高频(快速) | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 极数： | 四极 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRGP20B60PDPBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装材料： | 陶瓷封装 |
- 晶体管IGBT TO-247AC 600V 40A
- 晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 集电极直流电流: 40A
- 饱和电压, Vce sat: 2.35V
- 功耗, Pd: 220W
- 电压, Vceo: 600V
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时间: 5ns
- 功率, Pd: 220W
- 功耗: 220W
- 器件标记: IRGP20B60PDPbF
- 封装类型: TO-247AC
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管极性: N沟道
- 功耗: 220W
- 连续电流, Ic: 40A
- 电压, Vces: 600V
- 电流, Icm脉冲: 80A
- 表面安装器件: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRF7313TRPbF 原装 假一罚十
信息内容：数据列表IRF7313TRPbF产品相片8-SOIC标准包装4,000类别分立半导体产品家庭FET -阵列系列HEXFET®FET类型2个N沟道（双）FET功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）6.5A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）29毫欧@ 5.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)33nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)650pF @ 25V功率-值2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装8-SO包装带卷(TR) "
供应：ST牌子 场效应管STP75NF75 【原装】【ST代理】
信息内容：STP75NF75 场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 80A 电压, Vds: 75V 在电阻RDS（??）: 11mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 300W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 栅极电荷Qg N沟道: 117nC 漏极电流, Id值: 80A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 75V 电压, Vds???型值: 75V 电压, Vgs Rds N沟道: 10V 电压, Vgs: 3V 电压变化率dv/dt: 12V/µs 电流, Idm脉冲: 320A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 175°C 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 11mohm 阈值电压, Vgs th: 2V "
