价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFB3607PBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | TV/电视 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
工作温度范围: | -55°C 到 +175°C | |
针脚数: | 3 | |
功耗: | 140W |
IRFB3607PBF
晶体管IGBT TO-247AC 600V 40A 晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 集电极直流电流: 40A 饱和电压, Vce sat: 2.35V 功耗, Pd: 220W 电压, Vceo: 600V 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 上升时间: 5ns 功率, Pd: 220W 功耗: 220W 器件标记: IRGP20B60PDPbF 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管极性: N沟道 功耗: 220W 连续电流, Ic: 40A 电压, Vces: 600V 电流, Icm脉冲: 80A 表面安装器件: Through Hole
数据列表IRF7313TRPbF产品相片8-SOIC标准包装4,000类别分立半导体产品家庭FET -阵列系列HEXFET®FET类型2个N沟道(双)FET功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)(25° C时)6.5A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)29毫欧@ 5.8A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)1V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)33nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)650pF @ 25V功率-值2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装8-SO包装带卷(TR) "