供应 IR牌子 场效应管IRFP3710PBF 原装 优势库存
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP3710PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压： | 100V | |
| 电流： | 57A | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +175°C |
- 场效应管 MOSFET N TO-247AC 100V 51A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 57A
- 电压, Vds : 100V
- 在电阻RDS（上）: 25mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
- 功耗, Pd: 200W
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 200W
- 功耗: 200W
- 封装类型: TO-247AC
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 值: 57A
- 热阻, 结至外壳 A: 0.83°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds: 100V
- 电压, Vds 典型值: 100V
- 电压, Vgs : 4V
- 电流, Idm 脉冲: 180A
- 表面安装器件: Through Hole
深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 原装：IRFB3607PBF 优势代理
信息内容：IRFB3607PBF 场效应管MOSFET N沟道TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 80A 电压, Vds: 75V 在电阻RDS（上）: 7.34mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 140W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功耗: 140W 封装类型: TO-220AB 漏极电流, Id值: 80A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 75V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 310A 表面安装器件: Through Hole
供应 IR牌子 晶体管IRGP20B60PDPBF 【IR代理】【原装】
信息内容：晶体管IGBT TO-247AC 600V 40A 晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 集电极直流电流: 40A 饱和电压, Vce sat: 2.35V 功耗, Pd: 220W 电压, Vceo: 600V 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 上升时间: 5ns 功率, Pd: 220W 功耗: 220W 器件标记: IRGP20B60PDPbF 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管极性: N沟道 功耗: 220W 连续电流, Ic: 40A 电压, Vces: 600V 电流, Icm脉冲: 80A 表面安装器件: Through Hole
