供应 IR牌子 场效应管IRFB3207PBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFB3207PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 330W | |
| 电压： | 75V | |
| 电流： | 180A |
- 场效应管MOSFET N TO-220 75V
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 180A
- 电压, Vds: 75V
- 在电阻RDS（上）: 3.6mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 330W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175°C
- 封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 330W
- 功耗: 330W
- 封装类型: TO-220AB
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 引脚节距: 2.54mm
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 180A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 75V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 720A
- 针脚格式: 1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP3710PBF 原装 优势库存
信息内容：场效应管 MOSFET N TO-247AC 100V 51A 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 57A 电压, Vds : 100V 在电阻RDS（上）: 25mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V 功耗, Pd: 200W 工作温度范围: -55°C 到 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 200W 功耗: 200W 封装类型: TO-247AC 温度 @ 电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id 值: 57A 热阻, 结至外壳 A: 0.83°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V 电压, Vds: 100V 电压, Vds 典型值: 100V 电压, Vgs : 4V 电流, Idm 脉冲: 180A 表面安装器件: Through Hole
供应 IR牌子 原装：IRFB3607PBF 优势代理
信息内容：IRFB3607PBF 场效应管MOSFET N沟道TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 80A 电压, Vds: 75V 在电阻RDS（上）: 7.34mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 140W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功耗: 140W 封装类型: TO-220AB 漏极电流, Id值: 80A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 75V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 310A 表面安装器件: Through Hole
