价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | FQPF10N60C | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
原装正品: | 原装正品 | |
封装/规格: | TO-220F | |
MOS管/场效应管/IG: | N沟道 600V 9.5A |
dzsc/19/2424/19242434.jpg
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dzsc/19/2425/19242547.jpg 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2425/19242547.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:800 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:8 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.55 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube下降时间:70 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):5.6 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:178 W 上升时间:110 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:65 ns 零件号别名:FQP8N80C
dzsc/19/2432/19243255.jpg制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2432/19243255.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:30 V闸/源击穿电压: /- 25 V漏极连续电流:6.5 A电阻汲极/源极 RDS(导通):18.5 mOhms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow封装:Reel下降时间:12 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:1.3 W 上升时间:12 ns 工厂包装数量:2500 典型关闭延迟时间:32 ns 零件号别名:SI4800BDY-E3"