价 格: | 面议 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFP3703PBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功率: | 230W | |
电压: | 30V | |
电流: | 210A |
场???应管MOSFET N TO-220 200V 24A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 24A 电压, Vds: 200V 在电阻RDS(上): 100mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5.5V 功耗, Pd: 170W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 170W 功耗: 170W 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 24A 热阻,结至外壳A: 0.9°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 200V 电压, Vgs: 5.5V 电流, Idm脉冲: 96A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 5.5V
场效应管MOSFET N TO-247AC 250V 38A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 38A 电压, Vds: 250V 在电阻RDS(上): 75mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 280W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 功率, Pd: 280W 功耗: 280W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 38A 热阻,结至外壳A: 0.45°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 250V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 150A 表面安装器件: Through Hole