供应：原装：SPW20N60C3（场效应管）现货库存
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | SPW20N60C3 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 208w | |
| 电流, Id 连续： | 20.7A |
SPW20N60C3
- 场效应管MOSFET COOLMOS N TO-247
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 20.7A
- 电压, Vds: 650V
- 在电阻RDS（上）: 190mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 208W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-247
- 针脚数: 3
- 功率, Pd: 208W
- 功耗: 208W
- 封装类型: TO-247
- 总功率, Ptot: 208W
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 20.7A
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 20.7A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 650V
- 电压, Vds典型值: 650V
- 电压, Vgs: 3V
- 电流, Idm脉冲: 62.1A
- 结温, Tj: -55°C
- 结温, Tj: 150°C
- 表面安装器件: Through Hole
- 阈值电压, Vgs th: 3.9V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP3703PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-247AC 30V 210A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 210A 电压, Vds: 30V 在电阻RDS（上）: 2.8mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 230W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 230W 功耗: 230W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 210A 热阻,结至外壳A: 0.65°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 30V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 1000A 表面安装器件: Through Hole
供应 IR牌子 场效应管IRFB23N20DPBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场???应管MOSFET N TO-220 200V 24A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 24A 电压, Vds: 200V 在电阻RDS（上）: 100mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5.5V 功耗, Pd: 170W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 170W 功耗: 170W 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 24A 热阻,结至外壳A: 0.9°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 200V 电压, Vgs: 5.5V 电流, Idm脉冲: 96A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 5.5V
