供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP10N60C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP10N60C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 阈值电压, Vgs th： | 4V | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 156W |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 9.5A
- 电压, Vds: 600V
- 在电阻RDS（上）: 600mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 156W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 156W
- 功耗: 156W
- 外宽: 10.67mm
- 外部长度/高度: 4.83mm
- 封装类型: TO-220
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 9.5A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 600V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 38A
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on: 730mohm
- 阈值电压, Vgs th: 4V
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应：原装：SPW20N60C3（场效应管）现货库存
信息内容：SPW20N60C3场效应管MOSFET COOLMOS N TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 20.7A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 190mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 208W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-247 针脚数: 3 功率, Pd: 208W 功耗: 208W 封装类型: TO-247 总功率, Ptot: 208W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 20.7A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 20.7A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 62.1A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
供应 IR牌子 场效应管IRFP3703PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-247AC 30V 210A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 210A 电压, Vds: 30V 在电阻RDS（上）: 2.8mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 230W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 230W 功耗: 230W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 210A 热阻,结至外壳A: 0.65°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 30V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 1000A 表面安装器件: Through Hole
