价 格: | 面议 | |
型号/规格: | IRFR3710ZTRLPBF | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
原装正品: | 原装正品 | |
封装/规格: | SOT-252 | |
MOS管/场效应管/IG: | N沟道 100V 42A |
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dzsc/19/2424/19242434.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2424/19242434.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:9.5 A电阻汲极/源极 RDS(导通):0.73 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220F封装:Tube下降时间:77 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:50 W 上升时间:69 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:144 ns 零件号别名:FQPF10N60C_NL
dzsc/19/2425/19242547.jpg 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2425/19242547.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:800 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:8 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.55 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube下降时间:70 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):5.6 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:178 W 上升时间:110 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:65 ns 零件号别名:FQP8N80C