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现货供应 IRFR3710ZTRLPBF MOS管/场效应管/IGBT 原装

价 格: 面议
型号/规格:IRFR3710ZTRLPBF
品牌/商标:IR/国际整流器
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型
原装正品:原装正品
封装/规格:SOT-252
MOS管/场效应管/IG:N沟道 100V 42A



制造商:International Rectifier
RoHS:符合RoHS 详细信息 
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流:56 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):18 mOhms
配置:Single
工作温度: 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK
封装:Reel
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:140 W 
工厂包装数量:3000 
典型关闭延迟时间:53 ns

 

吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴锡平
  • 电话:
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  • 手机:13713859204
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信息内容:

dzsc/19/2424/19242434.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2424/19242434.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:9.5 A电阻汲极/源极 RDS(导通):0.73 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220F封装:Tube下降时间:77 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:50 W 上升时间:69 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:144 ns 零件号别名:FQPF10N60C_NL

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现货供应FQP8N80C MOS管/场效应管/IGBT 原装

信息内容:

dzsc/19/2425/19242547.jpg 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2425/19242547.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:800 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:8 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.55 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube下降时间:70 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):5.6 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:178 W 上升时间:110 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:65 ns 零件号别名:FQP8N80C

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