供应 IR牌子 场效应管IRF7303TRPBF 原装 假一罚十
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7303TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功率 - 值： | 2 |
数据列表 | IRF7303TRPbF |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -阵列 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | 2个N沟道（双） |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 4.9A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 50毫欧@ 2.4A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 1V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
功率-值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷(TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP10N60C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 9.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 600mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 156W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 156W 功耗: 156W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 9.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 38A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 730mohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
供应：原装：SPW20N60C3（场效应管）现货库存
信息内容：SPW20N60C3场效应管MOSFET COOLMOS N TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 20.7A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 190mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 208W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-247 针脚数: 3 功率, Pd: 208W 功耗: 208W 封装类型: TO-247 总功率, Ptot: 208W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 20.7A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 20.7A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 62.1A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
