供应：FSC牌子 场效应管 FQPF7N65C【优势库存】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF7N65C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | UNI/一般用途 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电流 - 连续漏极 (I： | 7A | |
| 功率 - 值： | 52W | |
| 漏源极电压 (Vdss： | 650V |
FQPF7N65C
数据列表 | FQP7N65C, FQPF7N65C |
产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 7A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 1.4欧姆@ 3.5A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1245pF @ 25V |
功率-值 | 52W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 IR牌子 场效应管IRF7303TRPBF 原装 假一罚十
信息内容：数据列表IRF7303TRPbF产品相片8-SOIC标准包装4,000类别分立半导体产品家庭FET -阵列系列HEXFET®FET类型2个N沟道（双）FET功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）4.9A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）50毫欧@ 2.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)25nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)520pF @ 25V功率-值2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装8-SO包装带卷(TR)
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP10N60C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 9.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 600mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 156W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 156W 功耗: 156W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 9.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 38A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 730mohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
