供应：IR场效应管：IRFP1405PBF 原装 大量现货库存
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP1405PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压, Vds ： | 55V | |
| 电流, Id 连续： | 160A | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +175°C |
IRFP1405PBF
- 场效???管MOSFET N TO-247AC 55V 160A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 160A
- 电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（上）: 5.3mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 310W
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 310W
- 功耗: 310W
- 封装类型: TO-247AC
- 漏极电流, Id值: 95A
- 热阻,结至外壳A: 0.49°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 55V
- 电压, Vgs: 20V
- 电流, Idm脉冲: 640A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 5.3ohm
深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
供应：FSC牌子 场效应管 FQPF7N65C【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF7N65C数据列表FQP7N65C, FQPF7N65C产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)650V电流-连续漏极(Id)（25° C时）7A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）1.4欧姆@ 3.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)36nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1245pF @ 25V功率-值52W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220F包装管件 "
供应 IR牌子 场效应管IRF7303TRPBF 原装 假一罚十
信息内容：数据列表IRF7303TRPbF产品相片8-SOIC标准包装4,000类别分立半导体产品家庭FET -阵列系列HEXFET®FET类型2个N沟道（双）FET功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）4.9A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）50毫欧@ 2.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）1V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)25nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)520pF @ 25V功率-值2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装8-SO包装带卷(TR)
