价 格: | 面议 | |
工作温度范围: | -55°C 到 +150(℃) | |
功耗: | 标准 | |
批号: | 12+ | |
材料: | 硅(Si) | |
是否进口: | 是 | |
针脚数: | 3 | |
电压,Vz: | 60V | |
型号/规格: | 30CPQ060PBF | |
产品类型: | 肖特基管 | |
品牌/商标: | Vishay/威世通 | |
二极管配置: | 双共阴极 | |
电流: | 15A | |
封装: | TO-247 | |
电流, Ifs : | 1.02KA |
IRFP1405PBF 场效???管MOSFET N TO-247AC 55V 160A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 160A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS(上): 5.3mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 310W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 310W 功耗: 310W 封装类型: TO-247AC 漏极电流, Id值: 95A 热阻,结至外壳A: 0.49°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 640A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 5.3ohm
FQPF7N65C数据列表FQP7N65C, FQPF7N65C产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)650V电流-连续漏极(Id)(25° C时)7A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)1.4欧姆@ 3.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)36nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1245pF @ 25V功率-值52W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220F包装管件 "