供应工业控制专用传感器，开关传感器系列厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、四代磁性传感技术
代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器
二、产品概述：
在各类传感器中，有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体，当有物体移向位移传感器，并接近到一定距离时，位移传感器就有“感知”，通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关，就是接近开关。
三、公司简介：
我司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
本公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
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- 所属城市：江苏 苏州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张先生
- 电话：0512-56319303
- 传真：0512-56366200
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供应-40~125°C传感器，开关传感器厂家
信息内容：一、四代磁性传感技术 代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！
供应防护性能强开关传感器，MMS105H系列传感器
信息内容：一、四代磁性传感技术 代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C ESD性能(HBM)VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！
