供应防护性能强开关传感器，MMS105H系列传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、四代磁性传感技术
代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器
二、极限参数
参数 符号 额定值 单位
工作电压 VCC 6 V
工作电流 ICC 20 μA
输出电压 VOUT 6 V
输出电流 IOUT 30 mA
使用温度 TA -40 ~ 125 °C
储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C
ESD性能(HBM)VESD 4 kV
外加磁场 B 2000 Oe
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供应MMA153F系列传感器，MMA153F系列传感器直销
信息内容：一、性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA 电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 应用磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 Operating 1 Degree 使用温度 TA Operating -40 125 °C 二、应用介绍： 如下图所示，被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测得电流线通过电流Ip后，产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片，被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分，等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理（Ampere circuital theorem）。利用安培环路定理，环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理，既可得到输出信号Vout。 性能比较： Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 三、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦...
供应140(3)kOhm多维传感器，隧道磁电阻单轴角度传感器
信息内容：一、产品特性 隧道磁电阻(TMR)技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、应用介绍： 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线，两个TMR芯片位于U形电流线的正上方，通过被测电流Ip后，U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B，经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出，得到最终的输出信号Vout。 性能比较： Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否需要磁环 必须要 不需 三、工作原理 在MMA153F芯片上表面放置一块小磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA153F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA153F中的磁隧道结传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”，受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变...
