供应-40~125°C传感器，开关传感器厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、四代磁性传感技术
代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器
二、应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。
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供应防护性能强开关传感器，MMS105H系列传感器
信息内容：一、四代磁性传感技术 代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C ESD性能(HBM)VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！
供应MMA153F系列传感器，MMA153F系列传感器直销
信息内容：一、性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA 电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 应用磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 Operating 1 Degree 使用温度 TA Operating -40 125 °C 二、应用介绍： 如下图所示，被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测得电流线通过电流Ip后，产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片，被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分，等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理（Ampere circuital theorem）。利用安培环路定理，环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理，既可得到输出信号Vout。 性能比较： Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 三、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦...
