一、四代磁性传感技术
代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器
二、Hall工作原理
电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场纵向磁场感应。
三、AMR工作原理
单磁层器件
平行磁场感应
1~3% △R/R
工作在45°偏角
电流在薄膜平面流动
工作场范围窄
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一、四代磁性传感技术 代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、产品概述: 在各类传感器中,有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体,当有物体移向位移传感器,并接近到一定距离时,位移传感器就有“感知”,通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关,就是接近开关。 三、公司简介: 我司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 本公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。 心动不如行动,赶...
一、四代磁性传感技术 代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您!