供应高精度磁TMR传感器，特价热卖磁隧道结传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品介绍：
MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、极限参数参数 符号 额定值 单位
工作电压 VCC 6 V
工作电流 ICC 20 μA
输出电压 VOUT 6 V
输出电流 IOUT 30 mA
使用温度 TA -40 ~ 125 °C
储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C
ESD性能(HBM) VESD 4 kV
外加磁场 B 2000 Oe
三、电感式传感器介绍：
电感式传感器也叫涡流式传感器，由三大部分组成：振荡器、开关电路及放大输出电路。振荡器产生一个交变磁场，当金属目标接近这一磁场，并达到感应距离时，在金属目标内产生涡流，从而导致振荡衰减，以至停振。振荡器振荡及停振的变化被后级放大电路处理并转换成开关信号，触发驱动控制器件，从而达到非接触式的检测目的。由此可见，这种接近开关所能检测的物体必须是导电体。
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供应低功耗MMS105H传感器，厂家优惠MMS105H热卖型号
信息内容：一、产品介绍： MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、产品应用： 1.计量仪表（水表，气表，热量表） 2.固态开关 3.速度检测 4.旋转位置检测 5.线性位移检测 三、产品应用： 实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受...
供应线性传感器高精度TMR，厂家直销TMR线性传感器
信息内容：一、MMLD47F隧道磁电阻（TMR）芯片 MMLD47F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）和DFN8封装形式。 产品特性： ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·超宽动态范围 ·高灵敏度6mV/V/Oe ·低功耗 ·超高频率响应>20MHz ·优越的温度稳定性 ·极小的磁滞 ·宽工作电压范围 二、MMLH45F隧道磁电阻（TMR）芯片 MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）形式。 产品特性： ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·高灵敏度12mV/V/Oe ·低功耗 ·...
