供应线性传感器高精度TMR，厂家直销TMR线性传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMLD47F隧道磁电阻（TMR）芯片
MMLD47F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）和DFN8封装形式。
产品特性：
·隧道磁电阻(TMR)技术
·超宽动态范围
·高灵敏度6mV/V/Oe
·低功耗
·超高频率响应>20MHz
·优越的温度稳定性
·极小的磁滞
·宽工作电压范围
二、MMLH45F隧道磁电阻（TMR）芯片
MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）形式。
产品特性：
·隧道磁电阻(TMR)技术
·高灵敏度12mV/V/Oe
·低功耗
·超高频率响应>20MHz
·优越的温度稳定性
·较小磁滞
·宽工作电压范围
三、MMLP57F隧道磁电阻（TMR）芯片
MMLP57F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLP57F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）形式。
产品特性:
·隧道磁电阻(TMR)技术
·高灵敏度6mV/V/Oe
·低功耗
·超高频率响应>20MHz
·优越的温度稳定性
·极小的磁滞
·宽工作电压范围
四、MMLP57H隧道磁电阻（TMR）芯片
MMLP57H采用了一个独特的半桥结构设计，包含两个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，半桥提供分压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLP57H性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）形式。
产品特性：
·隧道磁电阻(TMR)技术
·高灵敏度3mV/V/Oe
·低功耗
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