供应低功耗MMS105H传感器，厂家优惠MMS105H热卖型号
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品介绍：
MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、产品应用：
1.计量仪表（水表，气表，热量表）
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
三、产品应用：
实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。
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信息内容：一、MMLD47F隧道磁电阻（TMR）芯片 MMLD47F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）和DFN8封装形式。 产品特性： ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·超宽动态范围 ·高灵敏度6mV/V/Oe ·低功耗 ·超高频率响应>20MHz ·优越的温度稳定性 ·极小的磁滞 ·宽工作电压范围 二、MMLH45F隧道磁电阻（TMR）芯片 MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm×5mm×1.7mm）形式。 产品特性： ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·高灵敏度12mV/V/Oe ·低功耗 ·...
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