供应25°C 15V传感器，MMA243F高频率响应传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA243F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMA243F高频率响应传感器特点：
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超大输出信号，无需信号放大
超低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
低磁滞
工作间隙大
极小封装尺寸
二、MMA243F高频率响应传感器在电表中应用
众所周知，通电导线周围将产生磁场，其磁场的强弱与电流大小成正比。若将TMR磁传感器放置在通电导线附近，TMR磁传感器的输出电压可以测量导线中通过的电流。 用霍尔元件做成的电流传感器，检测电线中流过的电流所产生的磁场，由于霍尔元件本身的温度特性不好，使得相应的电流传感器温度性能比较差。
三、极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
工作磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
四、公司介绍：
江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
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供应MMA243F旋转位置传感器，优质传感器多维热销
信息内容：一、MMA243F旋转位置传感器性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA 电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 工作磁场 B Operating 60 400 Oe 二、MMA243F旋转位置传感器概述 在角度传感器的应用场合下，在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件，使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%，从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越，采用超小型LGA8封装形式，尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 三、MMA243F旋转位置传感器优点： 响应频率高，可达GHz以上 精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽 功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低 温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度 ...
供应MMA243F(TMR)双轴角度传感器，多维传感器厂家
信息内容：一、MMA243F(TMR)双轴角度传感器特点： 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、MMA243F(TMR)双轴角度传感器极限参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 工作磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 三、MMA243F(TMR)双轴角度传感器性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA 电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 工作磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 E Operating 1 Degree 使用温度 TA Operating -40 125 °C 注： (1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3) 电阻值有多种选择，详情请咨询多维科技有限公司。 (4) 偏移电压：角度为零时，传感器输出电压（正余弦模式）。 (5) TCOV：在恒定工作电压下，输出信号随温度变化的百分比。...
