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供应MMA243F(TMR)双轴角度传感器,多维传感器厂家

价 格: 面议
型号/规格:MMA243F
品牌/商标:MDT

一、MMA243F(TMR)双轴角度传感器特点:
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超大输出信号,无需信号放大
超低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
低磁滞
宽工作电压范围
工作间隙大
极小封装尺寸

二、MMA243F(TMR)双轴角度传感器极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
工作磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM)   4000 V

三、MMA243F(TMR)双轴角度传感器性能参数
工作电压 VCC TA = 25°C   1 5 V
工作电流 ICC TA = 25°C   14(2)   μA
电阻 R TA = 25°C   70(3)   kOhm
输出范围 VOUT TA = 25°C   800   mV/V
偏移电压(4) VOQ TA = 25°C   ±5   mV/V
TCOV(5)   Operating   -0.1   %/°C
工作磁场 B Operating 60   400 Oe
角度误差 E Operating   1   Degree
使用温度 TA Operating -40   125 °C
注:
(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3) 电阻值有多种选择,详情请咨询多维科技有限公司。
(4) 偏移电压:角度为零时,传感器输出电压(正余弦模式)。
(5) TCOV:在恒定工作电压下,输出信号随温度变化的百分比。

四、MMA243F(TMR)双轴角度传感器工作原理
在MMA243F芯片上表面放置一小块磁铁,通过旋转,该磁铁可以在平行于MMA243F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA243F中的TMR传感器主要由两磁性层组成,一层是“钉扎层”,磁化方向不受外加磁场影响,另一层是“自由层”, 受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应,电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化,所以当外加磁场角度变化时,传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。

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一、MMA153F系列10 kHz传感器介绍: 隧道磁电阻(TMR)芯片通过磁编码器检测,可以实现角位移和角速度地测量;通过对相位差地判断,可以实现旋转方向识别。TMR芯片可以实现极高分辨率地检测,并且有很强的抗干扰能力。TMR芯片在磁编码器中应用时,敏感方向与磁编码器旋转方向保持一致。 二、MMA153F系列10 kHz传感器特性 大的空气间隙 极高分辨率 低功耗 超高响应频率 大的输出信号 方向识别 超强抗干扰能力 三、MMA153F系列10 kHz传感器应用介绍: 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向,磁环聚集了被测电流产生的磁场,在缺口处,TMR元件感应到该磁场,使二次线圈产生电流和磁场,二次线圈又反作用于磁环,使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中,TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: ...

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