MOS场效应管 7N60 仙童代理分销
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | FAIRCHILD/仙童/7N60 | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 原厂规格（V） | |
| 夹断电压： | 原厂规格（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 原厂规格（pF） | |
| 低频噪声系数： | 原厂规格（dB） | |
| 漏极电流： | 原厂规格（mA） | |
| 耗散功率： | 原厂规格（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product Type: MOSFET Power
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220F
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.46 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 8.5 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
漏极连续电流: 4.3 A to 6.8 A
功率耗散: 30.5 W
工作温度: 150 C
封装: Tube
Gate Charge Qg: 17.8 nC
最小工作温度: - 55 C
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
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VISHAY进口原装场效应管 SI2302DS-T1-E3
信息内容：制造商: Micro Commercial Components (MCC) 产品种类: MOSFET 小信号 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 20 V 闸/源击穿电压: /- 8 V 漏极连续电流: 3 A 功率耗散: 1250 mW 工作温度: 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 3000
仙童场效应 MOS管 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF
信息内容：仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF产品规格 参数 数据列表 FGH60N60SF 产品相片 FGH60N60SFTU 产品目录绘图 IGBT TO-247 Package 标准包装 150类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 场截止 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.9V @ 15V, 60A 电流 - 集电极 (Ic)（） 120A 功率 - 378W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247 包装 管件 产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF
