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仙童场效应 MOS管 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF

价 格: 面议
品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF
种类:结型JFET
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:SENSEFET电流敏感
开启电压:22(V)
夹断电压:22(V)
跨导:22(μS)
极间电容:2(pF)
低频噪声系数:22(dB)
漏极电流:22(mA)
耗散功率:22(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型

仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF

仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF

 

FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF产品规格 参数

 

数据列表 FGH60N60SF
 
产品相片 FGH60N60SFTU
 
产品目录绘图 IGBT TO-247 Package
 
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
 
电压 - 集电极发射极击穿() 600V
 
Vge, Ic时的Vce(开) 2.9V @ 15V, 60A
 
电流 - 集电极 (Ic)() 120A
 
功率 - 378W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247
 
包装 管件
 
产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF

深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义雄
  • 电话:0755-82894329
  • 传真:0755-82894329
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制造商: STMicroelectronics 产品种类: 双极小信号 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: PNP 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-5 集电极—发射极电压 VCEO: 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V 集电极连续电流: - 0.6 A 直流电集电极电流: 0.6 A 功率耗散: 0.6 W 工作频率: 200 MHz 封装: Bulk DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 Standard Pack Qty: 500

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