VISHAY进口原装场效应管 SI2302DS-T1-E3
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | VISHAY/SI2302DS-T1-E3 | |
| 种类： | 结型JFET | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
制造商: Micro Commercial Components (MCC)
产品种类: MOSFET 小信号
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: /- 8 V
漏极连续电流: 3 A
功率耗散: 1250 mW
工作温度: 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 3000
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
- 手机：
- QQ ：
仙童场效应 MOS管 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF
信息内容：仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF产品规格 参数 数据列表 FGH60N60SF 产品相片 FGH60N60SFTU 产品目录绘图 IGBT TO-247 Package 标准包装 150类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 场截止 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.9V @ 15V, 60A 电流 - 集电极 (Ic)（） 120A 功率 - 378W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247 包装 管件 产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF
【SAMWHA三和】韩国进口 铝电解电容
信息内容：产品图片产品介绍多种品牌电容,规格齐全质量全新原装; 翻新 拆机包测,质量问题包退换.联系方式联系地址：广东省 深圳福田区 华强三期佳和大厦3A132联系电话：13410377061传真号码：0755-82894329腾讯QQ：838205202公司简介主营电子元器件 配套连接器,开关 ,保险丝(座),散热片等系列
