二极管类型:Schottky
电流, If 平均:200mA
电压, Vrrm:75V
正向电压 Vf :0.855V
时间, trr :6ns
电流, Ifs :500mA
封装形式:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:A4
封装类型:SOT-23
电压, Vr :75V
电流, If @ Vf:10mA
电流, Ifsm:500mA
结温, Tj :150°C
表面安装器件:表面安装
品牌IR美国国际整流器公司型号IRF9540NPBF 种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型P沟道导电方式增强型用途MOS-ARR/陈列组件封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-N-FET锗N沟道开启电压100(V)夹断电压10(V)跨导50(μS)极间电容1300(pF)低频噪声系数20(dB)漏极电流11(mA)耗散功率140(mW) IRF9540NPBF特点 类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:117 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss):100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23AId 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs:97nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1300pF @ 25V功率 - :140W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 (直引线)包装:管件供应商设备封装:TO-220AB其它名称:*IRF9540NPBF