作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.
晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
品牌IR美国国际整流器公司型号IRF9540NPBF 种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型P沟道导电方式增强型用途MOS-ARR/陈列组件封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-N-FET锗N沟道开启电压100(V)夹断电压10(V)跨导50(μS)极间电容1300(pF)低频噪声系数20(dB)漏极电流11(mA)耗散功率140(mW) IRF9540NPBF特点 类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:117 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss):100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23AId 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs:97nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1300pF @ 25V功率 - :140W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 (直引线)包装:管件供应商设备封装:TO-220AB其它名称:*IRF9540NPBF