IRF9540NPBF场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | IRF/VISHAY/IRF9540NPBF | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 跨导： | 50（μS） | |
| 极间电容： | 1300（pF） | |
| 低频噪声系数： | 20（dB） | |
| 漏极电流： | 11（mA） | |
| 耗散功率： | 140（mW） | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
| 品牌 | IR美国国际整流器公司 | 型号 | IRF9540NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 50（μS） | 极间电容 | 1300（pF） |
| 低频噪声系数 | 20（dB） | 漏极电流 | 11（mA） |
| 耗散功率 | 140（mW） |
- IRF9540NPBF特点
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：117 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：23A
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：97nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1300pF @ 25V
功率 - ：140W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF9540NPBF
深圳市佳冠捷科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 余先生/吴小姐
- 电话：0755-83698632
- 传真：0755-83692831
- 手机：13808831832
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