让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>MDP4N60TH

MDP4N60TH

价 格: 面议
品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDP4N60TH
种类:绝缘栅MOSFET
用途:UHF/超高频
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

  广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护,适用于多个领域

•封装形式:TO-220

•导通电阻RDS(ON)=1.2Ω

•VDS=600V

•ID=4.6A

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•耗散功率:92.5W

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
  • 手机:15216657665/18964602998
  • QQ :QQ:17149511QQ:376861332
公司相关产品

安森美功率MOS管——MTB30P06V

信息内容:

N−Channel 30Amps 60 Volts Power MOSFET •无铅包装 •封装:D2PAK(TO-263) •工作温度范围:-55 to 175°C •开启延迟时间:30ns •关断延迟时间:200ns •导通电阻: R=80mΩ @10V •耗散功率: PD=125W

详细内容>>

STP21NM50N

信息内容:

N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•结温:150°C•总功率损耗:140W•开启延迟时间:22ns•封装形式:TO-220•耗散功率:Ptot=140W

详细内容>>

相关产品