价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | MagnaChip美格纳半导体/MDP4N60TH | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | UHF/超高频 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护,适用于多个领域
•封装形式:TO-220
•导通电阻RDS(ON)=1.2Ω
•VDS=600V
•ID=4.6A
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•耗散功率:92.5W
N−Channel 30Amps 60 Volts Power MOSFET •无铅包装 •封装:D2PAK(TO-263) •工作温度范围:-55 to 175°C •开启延迟时间:30ns •关断延迟时间:200ns •导通电阻: R=80mΩ @10V •耗散功率: PD=125W
N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•结温:150°C•总功率损耗:140W•开启延迟时间:22ns•封装形式:TO-220•耗散功率:Ptot=140W