价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | ON/MTB30P06V | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | SMDSO/表面封装 | |
材料: | P-FET硅P沟道 | |
跨导: | 79000(μS) | |
极间电容: | 2190(pF) | |
漏极电流: | 30000(mA) | |
耗散功率: | 125000(mW) | |
沟道类型: | P沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
N−Channel 30Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:D2PAK(TO-263)
•工作温度范围:-55 to 175°C
•开启延迟时间:30ns
•关断延迟时间:200ns
•导通电阻: R=80mΩ @10V
•耗散功率: PD=125W
N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•结温:150°C•总功率损耗:140W•开启延迟时间:22ns•封装形式:TO-220•耗散功率:Ptot=140W
•导通电阻:RDS(on) = 0.039Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=150V •ID=35A @TC=25°C •PD=144W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C