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STP21NM50N

价 格: 面议
品牌/型号:ST意法半导体/STP21NM50N
种类:绝缘栅MOSFET
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

 N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•结温:150°C

•总功率损耗:140W

•开启延迟时间:22ns

•封装形式:TO-220

•耗散功率:Ptot=140W

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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  • 联系人: 何军
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IR原装MOS ——IRFB4615PBF

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•导通电阻:RDS(on) = 0.039Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=150V •ID=35A @TC=25°C •PD=144W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C

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P-Channel 逻辑电平增强模式场效应晶体管 •工作温度范围:-55 ~ 150°C•导通电阻:RDS(ON)=0.5Ω @ VGS=-4.5V•VDSS=-30V•ID=0.9A•封装形式:SuperSOT-3 上海贝臣电子只做原装,欢迎访问http://basean.cn.alibaba.com/

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