N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•结温:150°C
•总功率损耗:140W
•开启延迟时间:22ns
•封装形式:TO-220
•耗散功率:Ptot=140W
•导通电阻:RDS(on) = 0.039Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=150V •ID=35A @TC=25°C •PD=144W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C
P-Channel 逻辑电平增强模式场效应晶体管 •工作温度范围:-55 ~ 150°C•导通电阻:RDS(ON)=0.5Ω @ VGS=-4.5V•VDSS=-30V•ID=0.9A•封装形式:SuperSOT-3 上海贝臣电子只做原装,欢迎访问http://basean.cn.alibaba.com/