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仙童原装P沟道MOS——NDS352AP

价 格: 面议
品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/NDS352AP
种类:绝缘栅MOSFET
用途:S/开关
封装外形:SMDSO/表面封装
开启电压:2.5(V)
跨导:1900(μS)
极间电容:135(pF)
漏极电流:900(mA)
耗散功率:500(mW)
沟道类型:P沟道
导电方式:增强型

P-Channel 逻辑电平增强模式场效应晶体管

 

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•导通电阻:RDS(ON)=0.5Ω   @  VGS=-4.5V

•VDSS=-30V

•ID=0.9A

•封装形式:SuperSOT-3

 

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上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

•导通电阻:RDS(on) = 0.011Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=150V •ID=104A @TC=25°C •PD=380W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C

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N−Channel 40 Amps 60 Volts Power MOSFET •无铅包装 •封装:DPAK(TO-252) •工作温度范围:-55 to 150°C •开启延迟时间:84ns •关断延迟时间:26ns •导通电阻: R=16mΩ @10V •耗散功率: PD=52W

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