安森美功率MOS管——NTD5865NLT4G
| 价 格： | 2.10 | |
| 品牌/型号： | ON/NTD5865NLT4G | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | SMDSO/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 跨导： | 15000（μS） | |
| 极间电容： | 1400（pF） | |
| 漏极电流： | 40000（mA） | |
| 耗散功率： | 52000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
N−Channel 40 Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装：DPAK(TO-252)
•工作温度范围：-55 to 150°C
•开启延迟时间：84ns
•关断延迟时间：26ns
•导通电阻: R=16mΩ @10V
•耗散功率： PD=52W
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 何军
- 电话：021-39121306/39121309
- 传真：021-39121309
- 手机：15216657665/18964602998
- QQ ：
公司相关产品
美格拉MOS管——MDD6N60GRH
信息内容：•封装类型：TO-252 •VDS=600V •ID= 4.5A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 1.45Ω @ VGS = 10V •耗散功率：73W •工作温度范围：-55 ~ 150°C
IR 原装功率MOS——IRFU4620PBF
信息内容：•导通电阻：RDS(on) max=78mΩ •工作温度范围：-55 ~ 175°C •封装形式：TO-251 •VDS=200V •ID=24A •Trr=78ns
