价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | MagnaChip美格纳半导体/MDD6N60GRH | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMDSO/表面封装 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 865(pF) | |
漏极电流: | 4500(mA) | |
耗散功率: | 73000(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
•封装类型:TO-252
•VDS=600V
•ID= 4.5A @ VGS = 10V
•RDS(ON)≤ 1.45Ω @ VGS = 10V
•耗散功率:73W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•导通电阻:RDS(on) max=78mΩ •工作温度范围:-55 ~ 175°C •封装形式:TO-251 •VDS=200V •ID=24A •Trr=78ns
N−Channel 18Amps 60 Volts Power MOSFET •无铅包装 •封装:DPAK(TO-252) •工作温度范围:-55 to 175°C •开启延迟时间:20ns •关断延迟时间:40ns •导通电阻: R=54mΩ @5V •耗散功率: PD=55W