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美格拉MOS管——MDD6N60GRH

价 格: 面议
品牌/型号:MagnaChip美格纳半导体/MDD6N60GRH
种类:绝缘栅MOSFET
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMDSO/表面封装
开启电压:5(V)
夹断电压:30(V)
跨导:5000(μS)
极间电容:865(pF)
漏极电流:4500(mA)
耗散功率:73000(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

 

 •封装类型:TO-252

 •VDS=600V

 •ID= 4.5A @ VGS = 10V

 •RDS(ON)≤ 1.45Ω @ VGS = 10V

 •耗散功率:73W

 •工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

•导通电阻:RDS(on) max=78mΩ •工作温度范围:-55 ~ 175°C •封装形式:TO-251 •VDS=200V •ID=24A •Trr=78ns

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