供应三菱模块QM200DY1-24
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM200DY1-24 200A/1200V/2U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM200DY1-24
IGBT检测注意事项 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏相似型号：
QM15DX-2H(24) 30A/1000V（1200V）/2UQM200DY1-24 200A/1200V/2U
QM30DY-2H(24) 30A/1000V（1200V）/2U
QM300DY-2H（24）（B）300A/1000V/（1200V）/2U
QM50DY-2H(24)(B) 50A/1000V（1200V）/2U
QM10E3Y-2HB 10A/1000V/2U
- 所属城市：北京 北京市
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供应三菱模块QM150E2Y（E3Y）-H
信息内容：供应三菱模块QM150E2Y（E3Y）-H IGBT判断好坏 将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。 相似型号： QM30CY-H 2单元对管30A/600V QM100E2Y（E3Y）-H 100A/600V QM50CY-H 2单元对管50A/600V QM200E2Y（E3Y）-HB 200A/600V QM75CY-H 2单元对管75A/600V QM150E2Y（E3Y）-H 150A/600V QM100CY-H 2单元对管100A/600V QM15DX-H 15A/600V/2U QM150CY-H 2单元对管150A/600V
供应三菱模块QM75E2Y（E3Y）-H
信息内容：供应三菱模块QM75E2Y（E3Y）-H IGBT的串并联： 1）并联目的是增大使用的工作电流，但器件要匹配，每模块的Uce之差小于0.3V。还要降流使用，对于不小于200A的模块，600V的降10％Ic，1200～1400V的降15％Ic，1700V的降20％Ic，并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开，除静态均流外，还有动态均流问题，并使温度相接近，以免影响电流的均衡分配，因IGBT是负阻特性的器件。 2）串联目的是增高使用的工作电压，其要求比并联更高,主要是静态均压及动态均压问题，尤其是动态均压有一定难度。针对这个问题成都佳灵公司提出了容性母板技术1＋N只串联动态电压钳位均压方式c若动态均压不佳，将造成串联臂各器件上的Uce电压不等，造成一个器件过电压，影响同一臂的一串器件电击穿。 总之，IGBT的串、并联应尽量避免，不要以低电压小电流器件，通过串、并联解决高电压大电流的问题，这样的做法往往适得其反，而器件增多可靠性更差，电路也复杂，在不得已的条件下，要慎重。目前使用单个ICBT的电压或电流基本能满足用户的需要，随着电路的改进，将会有更高电压、更大电流的功率器件问世，这是必然的。 相似型号： QM30E2Y（E3Y）-H...
