供应三菱模块QM400HA-24B
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM400HA-2H（24）（B）400A/1000V/（1200V）/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM400HA-24B
1IGBT—PIMIGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路，以降低损耗和降低成本，这种新型模块称为功率集成模块，简称PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模块是一种高速开关，第四代IGBT在开发中主要采取如下几项新技术。
(1)FWD(FreeWheelingDiode)技术
在模块中选用降低正向电压(VF)的二极管器件，据测试在600V和1200V系列中，逆变器载波频率为10kHz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。
(2)蚀刻模块单元的微细化技术
由于控制极的宽度(LH)已达到化设计，故集电—射极之间的饱和电压VCE(SAT)可降低0.5V，使开关损耗降低。
(3)NPT(NonPunchThrough)技术
使载流子寿命得到控制，从而减少开关损耗对温度的依存性。这样，可减少长期使用过程中的开关损耗。
对于IGBT这类高速开关的要求无非是高速性和柔性恢复性。对于正向电压VF和恢复损耗Err二者相比，在设计时宁可选择较高的VF值。但当选用高VF值在变频器低频工作时，将会使FWD的导通时间加长并使平均损耗增加，也使变频器在低速高力矩时温升提高。为此第四代IGBT特别注意到设计的电极构造，从而改善了VF、Err关系，使FWD的VF降低0.4V～0.5V，总损耗减少20%。
相似型号：
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信息内容：供应QM400HA1-2H三菱模块 现代IGBT具有以下明显优点[2]: (1) 保持了MOSFET作为单极型半导体器件的一系列优点: a. 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。这对于消除双极型功率器件中不可避免隐藏的“束流效应”和由此带来的许多不安全隐患(如双极晶体管中的二次击穿)，具有极其重大的实用价值。 b. 其反向恢复过程相对于双极型器件来具有超快、超软、超稳定的特点。这不仅有利于缩短装置中必须考虑的“死区时间”，而且有利于串并联运行。 c.开关速度快得多，达到纳秒量级。 (2) 便于实现多芯片并联运行，这正是它具有正电阻温度系数特性的直接结果。现在已经有数十片高电压IGBT芯片并联运行多年的成功经验。 (3) 鉴于其反向恢复电荷小、反向恢复时间短，这为采用新型特快动作的压敏保护器件来实现多个IGBT“直接串联”提供了技术上的可能。 (4) IGBT的开关损耗远低于双极型器件，而它的通态压降(对应着通态损耗)也越来越接近双极型器件。于是，现代IGBT器件的总功率损耗降低，其运行效率明显提高。 (5) IGBT在正常工作状况下的锁定效应(Latch-up效应)已被抑制，在过载、浪涌等高...
供应三菱模块QM300HC-M
信息内容：供应三菱模块QM300HC-M 使用IGBT模块使用中应注意的问题 IGBT的结构与MOSFET类似，从等效电路和工作机理来说，可以认为IGBT是MOS输入的达林顿晶体管，其输入级是MOSFET，输出级是PNP晶体管。IGBT模块的使用应特别注意以下几方面的问题。 1防静电对策 IGBT的VGE保证值为±20V，在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险，因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。 2驱动电路设计 严格地说，能否充分利用IGBT器件的性能，关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等。 3保护电路的设计 IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。因此，必须在对器件的特性充分了解的情况下，设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4散热设计 取决于IGBT模块所允许的结温(Tj),在该温度下，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。 ...
