价 格: | 面议 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | SPW24N60C3 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 33(V) | |
夹断电压: | 33(V) | |
跨导: | 33(μS) | |
极间电容: | 33(pF) | |
低频噪声系数: | 33(dB) | |
漏极电流: | 33(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
INFINEON英飞凌MOS管产品图片 |
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INFINEON英飞凌MOS管产品介绍 | |
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INFINEON英飞凌MOS管产品质量 |
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公司简介 |
公司长期供应电子元器件,为工厂,外贸提供配套服务,提高客户的工作效率及降低客户缺货或者涨价的风险. |
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