仙童MOS场效应管FQPF8N80C,8N80
| 价 格： | 2.70 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQPF8N80C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 800（V） |
| 跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 0.1（mA） |
| 耗散功率 | 0.1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张华
- 电话：755-36853255
- 传真：755-36853255
- 手机：
- QQ ：
仙童MOS场效应管FQPF4N60,4N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 HEMT高电子迁移率 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 低频噪声系数 2000（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 200（mW） 型 号： FQPF4N60厂 商： Fairchild Semiconductor描 述： 600V N-Channel MOSFET 中文描述： 600V的N沟道MOSFET
仙童MOS场效应管FQPF4N90C,4N90
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N90C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 200（pF） 低频噪声系数 200（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 200（mW）
