品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQPF4N60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | HEMT高电子迁移率 |
开启电压 | 200(V) | 夹断电压 | 200(V) |
跨导 | 20(μS) | 极间电容 | 2000(pF) |
低频噪声系数 | 2000(dB) | 漏极电流 | 200(mA) |
耗散功率 | 200(mW) |
型 号: FQPF4N60
厂 商: Fairchild Semiconductor
描 述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 600V的N沟道MOSFET
品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N90C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 跨导 20(μS) 极间电容 200(pF) 低频噪声系数 200(dB) 漏极电流 200(mA) 耗散功率 200(mW)
品牌/商标 ST 型号/规格 LM339N 封装 DIP 批号 11+ 类型 逻辑IC