仙童MOS场效应管FQPF4N60,4N60
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQPF4N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | HEMT高电子迁移率 |
| 开启电压 | 200（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 2000（pF） |
| 低频噪声系数 | 2000（dB） | 漏极电流 | 200（mA） |
| 耗散功率 | 200（mW） |
型 号： FQPF4N60
厂 商： Fairchild Semiconductor
描 述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 600V的N沟道MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张华
- 电话：755-36853255
- 传真：755-36853255
- 手机：
- QQ ：
仙童MOS场效应管FQPF4N90C,4N90
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N90C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 200（pF） 低频噪声系数 200（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 200（mW）
4路比较器LM339N，LM339
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 LM339N 封装 DIP 批号 11+ 类型 逻辑IC
