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仙童MOS场效应管FQPF4N60,4N60

价 格: 1.20

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N60
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 HEMT高电子迁移率
开启电压 200(V) 夹断电压 200(V)
跨导 20(μS) 极间电容 2000(pF)
低频噪声系数 2000(dB) 漏极电流 200(mA)
耗散功率 200(mW)




型      号:  FQPF4N60
厂      商:  Fairchild Semiconductor
描      述:  600V N-Channel MOSFET 
中文描述:  600V的N沟道MOSFET

深圳市福田区华帝电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 张华
  • 电话:755-36853255
  • 传真:755-36853255
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仙童MOS场效应管FQPF4N90C,4N90

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N90C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 跨导 20(μS) 极间电容 200(pF) 低频噪声系数 200(dB) 漏极电流 200(mA) 耗散功率 200(mW)

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