供应开关二极管芯片、晶圆、裸片 BAV199
| 价 格： | 面议 | |
| 功耗： | - | |
| 批号： | TL-12 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 是否进口： | 是 | |
| 针脚数： | - | |
| 加工定制： | 否 | |
| 型号/规格： | BAV199 | |
| 产品类型： | 开关管 | |
| 品牌/商标： | 日本 | |
| 用途： | 用于高压、高速开关应用 | |
| 主要参数： | 芯片尺寸：280μm×280μm | |
| 封装： | 裸芯片、晶圆 |
用途
*用于高压、高速开关应用
■特征:
*低正向压降
*较小的总电容 *用于片式封裝
*较短的反向恢复時间 *有效图形数 90000 只左右
芯片尺寸：280μm×280μm 压焊区尺寸：φ120μm
芯片厚度：180±10μm
锯片槽宽度：40μm 金属层：正面:Al 2.3±10μm，背面:Au 1.4±10μm
电特性(Ta=25℃)
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最 小 | 最 大 | 典型值 | 单位 |
反向电压 | VR | IR=0.1mA | 80 |
| 130 | V |
正向压降 | VF（1） | IF=10mA |
| 1.0 | 0.67 | V |
VF（2） | IF=100mA |
| 1.2 | 0.92 | V | |
反向漏电流 | IR（1） | VR=20V |
| 25 |
| nA |
IR（2） | VR=75V |
| 1 |
| μA | |
总电容 | CT | VR=0, f=1MHZ |
| 3.0 | 2.0 | PF |
反向恢复时间 | trr | IF=IR=10mA Irr=0.1×IR |
| 4.0 |
| ns |
- 所属城市：辽宁 丹东
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信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/2N7002，质量保证。0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFETDESCRIPTIONThe 2N7002 uses advanced technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gatevoltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.FEATURES* High Density Cell Design for Low RDS(ON).* Voltage Controlled Small Signal Switch* Rugged and Reliable* High Saturation Current Capability我司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
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信息内容：*HS669A是利用外延工艺生产的NPN型三极管芯片*主要适用于低频功率放大器*芯片尺寸：0.8×0.8(mm2)*Icm=1.5A，Pcm=1W B*ft=140MHZ，Cob=14pF(耗散功率在TC=25℃可达20W)*芯片背极：背金芯片背极为集电极。*芯片厚度：245±5um*压点尺寸：120×120(um)2打线直径：1.2mil Gold Wire*封装形式：TO-92NL、TO-126我司可提供相关产品的详细资料！我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
