价 格: | 面议 | |
封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
型号/规格: | 2N7002 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
品牌/商标: | 进口 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/2N7002,质量保证。
0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The 2N7002 uses advanced technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
FEATURES
* High Density Cell Design for Low RDS(ON).
* Voltage Controlled Small Signal Switch
* Rugged and Reliable
* High Saturation Current Capability
我司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
*HS669A是利用外延工艺生产的NPN型三极管芯片*主要适用于低频功率放大器*芯片尺寸:0.8×0.8(mm2)*Icm=1.5A,Pcm=1W B*ft=140MHZ,Cob=14pF(耗散功率在TC=25℃可达20W)*芯片背极:背金芯片背极为集电极。*芯片厚度:245±5um*压点尺寸:120×120(um)2打线直径:1.2mil Gold Wire*封装形式:TO-92NL、TO-126我司可提供相关产品的详细资料!我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50,质量保证。芯片基本性质:芯片型号Model3N50 芯片尺寸:2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电极金属铝 背面电极金属银 VDSS500V RDS(on)3.3Ω(max) ID3A 厂家参考封装形式:芯片型号推荐封装形式封装类型3N50 TO-220AB塑封 我司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!