*HS669A是利用外延工艺生产的NPN型三极管芯片
*主要适用于低频功率放大器
*芯片尺寸:0.8×0.8(mm2)
*Icm=1.5A,Pcm=1W B
*ft=140MHZ,Cob=14pF
(耗散功率在TC=25℃可达20W)
*芯片背极:背金
芯片背极为集电极。
*芯片厚度:245±5um
*压点尺寸:120×120(um)2打线直径:1.2mil Gold Wire
*封装形式:TO-92NL、TO-126
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我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50,质量保证。芯片基本性质:芯片型号Model3N50 芯片尺寸:2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电极金属铝 背面电极金属银 VDSS500V RDS(on)3.3Ω(max) ID3A 厂家参考封装形式:芯片型号推荐封装形式封装类型3N50 TO-220AB塑封 我司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!