LM324DR2G 运算放大器 集成电路IC
| 价 格： | 面议 | |
| 类型： | 其他IC | |
| 型号/规格： | LM324DR2G | |
| 批号： | 11+ | |
| 产品类型： | 正品 | |
| 用途： | 仪器 | |
| 品牌/商标： | ON Semiconductor | |
| 封装： | SOP |
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浩光利HKLI
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类别：集成电路 (IC)
家庭：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列：-
放大器类型：通用
电路数：4
输出类型：-
转换速率：0.6 V/µs
增益带宽积：1MHz
-3db带宽：-
电流 - 输入偏压：90nA
电压 - 输入偏移：2000µV
电流 - 电源：1.4mA
电流 - 输出 / 通道：40mA
电压 - 电源，单路/双路(±)：3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V
工作温度：0°C ~ 70°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：14-SOICN
其它名称：LM324DR2GOSDKR
数据表:
http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/LM324-D.PDF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吴锡平
- 电话：
- 传真：
- 手机：13713859204
- QQ ：
现货供应 IRFR3710ZTRLPBF MOS管/场效应管/IGBT 原装
信息内容：制造商:International RectifierRoHS: 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流:56 A电阻汲极/源极 RDS（导通）:18 mOhms配置:Single工作温度: 175 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK封装:Reel最小工作温度:- 55 C 功率耗散:140 W 工厂包装数量:3000 典型关闭延迟时间:53 ns
现货供应FAIRCHILD/ 仙童FQPF10N60C 场效应管/ 原装
信息内容：dzsc/19/2424/19242434.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2424/19242434.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:9.5 A电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.73 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220F封装:Tube下降时间:77 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:50 W 上升时间:69 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:144 ns 零件号别名:FQPF10N60C_NL
