价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD20N06L | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 | NTD20N06L |
产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 20A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 48 毫欧 @ 10A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 990pF @ 25V |
功率 - 值 | 1.36W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | NTD20N06LG-ND |
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数据列表FQP5N60C, FQPF5N60C产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)2.5 欧姆 @ 2.25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)670pF @ 25V功率 - 值33W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商器件封装TO-220F包装管件其它名称FQPF5N60C-NDFQPF5N60CFS"
数据列表NTD23N03R产品相片TO-263产品变化通告Discontinuation 30/Jun/2006标准包装75类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)25V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.8A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)45 毫欧 @ 6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.76nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)225pF @ 20V功率 - 值1.14W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装D-Pak包装管件我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。 "