价 格: | 1.60 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | FQPF5N60C | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
批号: | 11+ | |
封装: | TO-220F (塑封) |
数据列表 | FQP5N60C, FQPF5N60C |
产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.5A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 2.5 欧姆 @ 2.25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 670pF @ 25V |
功率 - 值 | 33W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
其它名称 | FQPF5N60C-ND |
数据列表NTD23N03R产品相片TO-263产品变化通告Discontinuation 30/Jun/2006标准包装75类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)25V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.8A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)45 毫欧 @ 6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.76nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)225pF @ 20V功率 - 值1.14W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装D-Pak包装管件我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。 "
数据列表NTD25P03L产品相片TO-263标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)25A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)80 毫欧 @ 25A,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1260pF @ 25V功率 - 值75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装带卷 (TR)其它名称NTD25P03LT4GOSNTD25P03LT4GOS-NDNTD25P03LT4GOSTR 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。