价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD23N03R | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | S/开关 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 | NTD23N03R |
产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.8A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 45 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.76nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 225pF @ 20V |
功率 - 值 | 1.14W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装 | 管件 |
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数据列表NTD25P03L产品相片TO-263标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)25A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)80 毫欧 @ 25A,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1260pF @ 25V功率 - 值75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装带卷 (TR)其它名称NTD25P03LT4GOSNTD25P03LT4GOS-NDNTD25P03LT4GOSTR 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。
数据列表SBL30xxPT产品相片TO-3P-3,TO-247-3产品变化通告End Of Life 10/June/2010标准包装30类别分立半导体产品家庭二极管,整流器 - 阵列系列-不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)550mV @ 15A不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1mA @ 40V电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)30A电压 - DC 反向 (Vr)(值)40V反向恢复时间 (trr)-二极管类型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)二极管配置1 对共阴极安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商器件封装TO-3P包装管件 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。