价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD12N10-001 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | S/开关 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 NTD12N10 产品相片 DPAK_369D−01 产品变化通告 Product Obsolescence 08/Apr/2011 标准包装 75 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 100V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 12A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 165 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 550pF @ 25V 功率 - 值 1.28W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装 I-Pak 包装 管件
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"数据列表NTD20N06L产品相片TO-263产品变化通告Product Obsolescence 21/Jan/2010标准包装75类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)48 毫欧 @ 10A,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)32nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)990pF @ 25V功率 - 值1.36W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装管件其它名称NTD20N06LG-NDNTD20N06LGOS我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。
数据列表FQP5N60C, FQPF5N60C产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)2.5 欧姆 @ 2.25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)670pF @ 25V功率 - 值33W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商器件封装TO-220F包装管件其它名称FQPF5N60C-NDFQPF5N60CFS"