MOS管 三极管 场效应 FQPF3N60 3N60
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQPF3N60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 FQPF3N60
产品相片 TO-220AB
产品变化通告 Product Discontinuation 09/Sept/2008
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.6 欧姆 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2A
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 450pF @ 25V
功率 - 34W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220F
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦蘅珍
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- 手机：18922867849
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三极管 场效应 MOS管 IRFR120TR IRFR120 IRFR120NPBF IRFR12
信息内容：数据列表 IRFR120, IRFU120 产品相片 TO-252-2 标准包装 2,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 4.6A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.7A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 16nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 360pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 带卷 (TR)
MOS管 三极管 场效应FQD20N06TM FQD20N06
信息内容：数据列表 FQP5N50C, FQPF5N50C 产品相片 TO-220-3 Pkg 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 2.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 625pF @ 25V 功率 - 73W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220 包装 管件"
